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温州激光二极管代理

更新时间:2025-09-12      点击次数:5

    r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。此外,m为2至5的整数,n为1至3的整数,以及m+n小于或等于6。例如,延迟荧光掺杂剂152可以选自式2。[式2]延迟荧光掺杂剂152可以由式3表示。[式3]在式3中,r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。此外,a和b分别由式3-1和式3-2表示。r9至r11各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。[式3-1][式3-2]例如,式3的延迟荧光掺杂剂152可以选自式4。[式4]磷光掺杂剂154可以由式5表示。[式5]在式5中,r1至r4各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺,以及r1与r2或r2与r3或r3与r4结合形成稠合的c6-c30芳族环。此外,n为1至3的整数。例如,磷光掺杂剂154可以选自式6。[式6]相对于延迟荧光掺杂剂152,磷光掺杂剂154的重量百分比等于或小于约5%。例如,磷光掺杂剂154相对于延迟荧光掺杂剂152的重量百分比可以为约%至%,并且推荐约%至%。尽管未示出,但eml150还包含基质。在eml150中。强茂二极管一级代理商。温州激光二极管代理

    oledd1包括电极120、面向电极120的第二电极130、和在电极120与第二电极130之间的有机发光层140。有机发光层140包括包含具有发射波长范围的延迟荧光掺杂剂152和具有第二发射波长范围的磷光掺杂剂154的eml150。电极120包含具有相对高的功函数的导电材料并用作阳极。例如,电极120可以包含透明导电材料例如铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo),但不限于此。当oledd1为顶部发射型时,可以在电极120下方形成反射电极或反射层。例如,反射电极或反射层可以由铝-钯-铜(apc)合金形成。第二电极130包含具有相对低的功函数的导电材料并用作阴极。例如,第二电极130可以包含镁(mg)或铝-镁合金(al-mg),但是不限于此。有机发光层140包括定位在电极120上方并包含延迟荧光掺杂剂152和磷光掺杂剂154的eml150。延迟荧光掺杂剂具有发射波长范围,磷光掺杂剂具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。磷光掺杂剂的第二比较大发射波长可以大于延迟荧光掺杂剂的比较大发射波长。例如,发射波长范围可以为绿色波长范围,第二发射波长范围可以为红色波长范围。延迟荧光掺杂剂152可以由式1表示。[式1]在式1中。重庆激光二极管代理商强茂开关二极管原装现货。

    TVS瞬态抑制二极管的作用:实际应用中TVS二极管是反向并联在电路中,当二极管两端瞬间通过高能量的冲击时,二极管能够在极短的时间内由关闭状态转换为导通状态,瞬间将电路中高能量冲击吸收,并且将后端电路电压钳位在固定的电压值上,从而到达保护后端电路的作用。现以ST公司的SMBJ系列二极管数据手册进行功能参数介绍:现以ST公司的SMBJ系列二极管数据手册进行功能参数介绍:电器特征参数定义Ppp(Peakpulsepower脉冲峰值电压功率)VRM(Stand-off反向工作电压/隔离电压/反向关断电压)VBR(Breakdownvoltage击穿电压)VCL(Clampingvoltage钳位电压)IRM(Leakagecurrent泄露电流)IPP(Peakpulsecurrent峰值脉冲电流)VF(Forwardvoltagedrop正向压降)特征参数:器件特性:Ppp(Peakpulsepower脉冲峰值电压功率)600W(10/1000us)4Kw(8/20us)(参数解释:10/1000us和8/20us为两种不同的浪涌测试波形,两种波形能量不一样。8/20uS是雷击浪涌的一种波形,10/1000us也是浪涌的一种波形,10us表示冲击脉冲到达90%电流峰值的时间,而1000us表示从电流峰值到半峰值的时间。)反向工作电压:Vs5V-188V低泄漏电流:--μAat25°C--1μAat85°C。

    图5为根据本公开内容的第二实施方案的oled的示意性截面图。如图5所示,oledd2包括电极220、第二电极230、在电极220与第二电极230之间的有机发光层290。有机发光层290包括发光部分250,其包括eml240;第二发光部分270,其包括第二eml260;和在发光部分250与第二发光部分270之间的电荷生成层(cgl)280。电极220为用于注入空穴的阳极并且包含高的功函数的导电材料例如ito或izo。第二电极230为用于注入电子的阴极并且包含低的功函数的导电材料例如al、mg或al-mg合金。cgl280被定位在发光部分250与第二发光部分270之间。即,发光部分250、cgl280和第二发光部分270顺序堆叠在电极220上。换言之,发光部分250被定位在电极220与cgl280之间,以及第二发光部分270被定位在第二电极230与cgl280之间。发光部分250可以包括顺序堆叠在电极220上的hil252、htl254、eml240和etl256。即,hil252和htl254被定位在电极220与eml240之间。hil252被定位在电极220与htl254之间,以及htl254被定位在hil252与eml240之间。此外,etl256被定位在eml240与cgl280之间。eml240包含延迟荧光掺杂剂242和磷光掺杂剂244。延迟荧光掺杂剂242具有发射波长范围。华南强茂二极管代理商公司。

    并发送给该微控制器15;该微控制器15控制并获取该发光二极管11的电流值,该驱动板12依据该电流值驱动该发光二极管11;该微控制器15依据该良好温度值和该良好压差值,调用预存储的良好校准数据表进行良好对比,依据该良好对比的结果对该良好压差值进行校准后,获取第二压差值,良好校准数据表为该发光二极管的初始温度值和该初始电压值统计表;图2是根据发明实施例的压降和温度的初始工作统计示意图,如图2所示,发光二极管的正向压降是随温度变化而改变的曲线,是大小偏移的曲线,且该发光二极管11的正向压降的偏移量与工作温度呈负相关,例如,该良好压差值可以依据该正向压降的曲线进行校准,调整为第二压差值,该发光二极管11出厂前,对可以进行长时间的工作测试,例如,进行500小时的工作测试,该微控制器15记录发光二极管正常工作在不同温度下的正向压降,,依据该正向压降的偏移量生成该良好校准数据表,该良好校准数据表用于对该良好压差值进行校准,生成该第二压差值。该微控制器15依据该第二压差值和该电流值,调用预存储的第二校准数据表进行第二对比,第二校准数据表为该发光二极管的初始压差值和初始电流值统计表,在该第二对比的结果不符合预设阈值的情况下。捷捷微二极管找巨新科。肇庆贴片二极管公司

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    附图说明此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一;图2是根据发明实施例的压降和温度的初始工作统计示意图;图3是根据发明实施例的压降和电流的初始工作统计示意图;图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二;图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图;图6是根据本发明实施例的热敏电阻ntc温度采集电路的示意图;图7是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制方法的流程图。具体实施方式下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是,在不矛盾的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明的实施例提供了一种发光二极管的控制系统,图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一,如图1所示,该系统包括:发光二极管11、驱动板12、电压采集电路13、温度采集电路14和微控制器15;该温度采集电路14获取该发光二极管11良好温度值,并发送给该微控制器15;该电压采集电路14获取该发光二极管11的压差值。温州激光二极管代理

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